MODULO EXPANSAO TM3DQ32TK

Ref: 21.62.370 Cód: TM3DQ32TK Marca: Schneider Electric

Módulo de Saídas Digitais - 32 Saídas - Source - 24 Vdc - Conector HE10

Descrição
Caracteristicas Técnicas

Documentos:

Complementar
maximum voltage drop	<0.4 V
sinalização local	N/A
largura	33.5 mm
profundidade	81.3 mm
maximum tungsten load	<1.2 W of saída do transistor
maximum leakage current	0.1 mA of saída do transistor
isolamento	entre a saída ea lógica interna a 500 V CA
isolamento	sem isolamento entre as saídas
Peso	0.112 kg
consumo de corrente	5 mA a 5 V CC via conector de barramento (do estado desligado)
consumo de corrente	0 mA a 24 V CC via conector de barramento (do estado desligado)
consumo de corrente	25 mA a 5 V CC via conector de barramento (do estado ligado)
consumo de corrente	40 mA a 24 V CC via conector de barramento (do estado ligado)
suporte de montagem	N/A
suporte de montagem	N/A
suporte de montagem	N/A
conexão elétrica	N/A
maximum cable distance between devices	cabo não blindado: <5 m of saída do transistor
altura	90 mm
sinalização	CE
tempo de resposta	450 µs (ligar)
tempo de resposta	450 µs (desligar)
número de E/S digital	32
Meio ambiente
resistência à vibração	3,5 mm a 5-8.4 Hz Ligar calha DIN
resistência à vibração	3 gn a 8.4-150 Hz Ligar calha DIN
resistência à vibração	3,5 mm a 5-8.4 Hz Ligar painel
resistência à vibração	3 gn a 8.4-150 Hz Ligar painel
resistência a campos eletromagnéticos	10 V/m 80 MHz ... 1 GHz para EN/IEC 61000-4-3
resistência a campos eletromagnéticos	3 V/m 1.4 GHz ... 2 GHz para EN/IEC 61000-4-3
resistência a campos eletromagnéticos	1 V/m 2 GHz ... 3 GHz para EN/IEC 61000-4-3
padrões	EN/IEC 61131-2
padrões	EN/IEC 61010-2-201
certificações do produto	C-Tick
certificações do produto	cULus
resistência a perturbações por condução, induzidas por campos de radiofrequência	10 V 0,15...80 MHz para EN/IEC 61000-4-6
resistência a perturbações por condução, induzidas por campos de radiofrequência	3 V frequência local (2, 3, 4, 6,2, 8,2, 12,6, 16,5, 18,8, 22, 25 MHz) para especificação Marine (LR, ABS, DNV, GL)
umidade relativa	10-95 %, sem condensação (em operação)
umidade relativa	10-95 %, sem condensação (em armazenamento)
resistência a sobretensão	1 kV E/S modo comum para EN/IEC 61000-4-5 CC
grau de proteção IP	IP20 com tampa de proteção colocada
temperatura ambiente do ar para armazenamento	-25-70 °C
resistência ao choque	15 gn of 11 ms
temperatura ambiente do ar para funcionamento	-10-35 °C instalação vertical
temperatura ambiente do ar para funcionamento	-10-55 °C instalação horizontal
altitude de armazenamento	0-3000 m
graus de poluição	2
altitude de funcionamento	0...2000 m
resistência a rajadas momentâneas rápidas	1 kV of E/S para EN/IEC 61000-4-4
emissão eletromagnética	radiação - nível de teste: 40 dBµV / m QP classe A 10 m) a 30-230 MHz para EN/IEC 55011
emissão eletromagnética	radiação - nível de teste: 47 dBµV / m QP classe A 10 m) a 230-1000 MHz para EN/IEC 55011
resistência a descarga eletroestática	8 kV em ar para EN/IEC 61000-4-2
resistência a descarga eletroestática	4 kV no contato para EN/IEC 61000-4-2
resistência a campos magnéticos	30 A/m 50/60 Hz para EN/IEC 61000-4-8
Principal
compatibilidade de gama	Modicon M241
compatibilidade de gama	Modicon M251
compatibilidade de gama	Modicon M221
compatibilidade de gama	Modicon M262
tensão de saída digital	24 V CC of saída do transistor
número de saída digital	32
tipo de produto ou componente	módulo de saída digital
corrente de saída digital	100 mA of saída do transistor
tipo de saída digital	transistor
lógica de saída digital	lógica positiva (fonte)
linha de produto	TM3 Modicon